Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP2879183
Art B1
3. März 2021
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2879183
- Aktenzeichen
- EP14191816
- Anmeldetag
- 5. November 2014
- Veröffentlichung
- 3. März 2021
- Erteilung
- 3. März 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L29/20H01L29/423H01L29/778
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Betten & Resch
Betten & Resch · München