Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements

EP2879183 Art B1 3. März 2021

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2879183
Aktenzeichen
EP14191816
Anmeldetag
5. November 2014
Veröffentlichung
3. März 2021
Erteilung
3. März 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/66H01L29/20H01L29/423H01L29/778
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Renesas Electronics Corporation
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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