Radiofrequenz-Leistungstransistors mit einem Widerstandsbereich zwischen einer Quelle und einem Drain-Kontaktbereich und Verfahren zur Herstellung dieses Transistors
EP2879185
Art A1
3. Juni 2015
Anmelder: Ampleon Netherlands B.V., Samba Holdco Netherlands B.V., NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2879185
- Aktenzeichen
- EP13195174
- Anmeldetag
- 29. November 2013
- Veröffentlichung
- 3. Juni 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Ampleon Netherlands B.V.
Samba Holdco Netherlands B.V.
NXP B.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
7.918 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Kanzlei
Arnold & Siedsma
Den Haag, Niederlande
Arnold & Siedsma wurde 1920 gegründet und liegt im Haager Büro in Laufnähe zum Benelux-Amt für geistiges Eigentum. Mit Standorten in den Niederlanden, Belgien, München und London stützt sie sich auf ein weltweites Agentennetzwerk.
12.048
Patente gesamt
7
Patentanwälte
2
Standorte