Siliciumcarbid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2884524
Art A1
17. Juni 2015
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2884524
- Aktenzeichen
- EP13827817
- Anmeldetag
- 18. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/316H01L21/324H01L21/336H01L29/12H01L29/78H01L29/51
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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