Diamant-Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP2884525
Art A1
17. Juni 2015
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2884525
- Aktenzeichen
- EP13879581
- Anmeldetag
- 8. August 2013
- Veröffentlichung
- 17. Juni 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/337H01L29/808H01L29/04H01L21/336H01L29/78H01L27/098H01L29/16C30B29/04H01L21/02// H01L29/06H01L29/167
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
3.785 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Daniels, Jeffrey Nicholas
London, Großbritannien
818
Patente gesamt
32
Fachgebiete
25
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Hill, Christopher Michael
NoneHelsinki