Halbleiterbauelement mit einer Passivierungsschicht aus Hydriertem Aluminiumnitrid sowie Verfahren zur Oberflächenpassivierung von Halbleiterbauelementen

EP2885819 Art A2 24. Juni 2015

Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V. 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2885819
Aktenzeichen: EP13752615
Anmeldetag: 16. August 2013
Veröffentlichung: 24. Juni 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L31/0216

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Fraunhofer-Gesellschaft

Deutsche gemeinnützige Forschungsorganisation mit Sitz in München. Betreibt anwendungsorientierte Forschung in Technik und Naturwissenschaften über zahlreiche Institute für Industrie und Gesellschaft.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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