Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit gestuften Bondflächen
EP2887394
Art A3
29. Juli 2015
Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2887394
- Aktenzeichen
- EP14196161
- Anmeldetag
- 3. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/485H01L21/66H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Freescale Semiconductor, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Freescale Semiconductor
Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.
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