Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauelementen mit gestuften Bondflächen

EP2887394 Art A3 29. Juli 2015

Anmelder: Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2887394
Aktenzeichen
EP14196161
Anmeldetag
3. Dezember 2014
Veröffentlichung
29. Juli 2015
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/485H01L21/66H01L23/31
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Freescale Semiconductor

Ehemaliger US-amerikanischer Halbleiterhersteller, hervorgegangen aus einem Spin-off von Motorola, mit Schwerpunkt auf Mikrocontrollern und eingebetteten Prozessoren. Seit 2015 Teil von NXP Semiconductors.

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