Speicherzelle mit Geteiltem Gate und einem Floating Gate-Kanal in einem Abbaumodus und Herstellungsverfahren dafür

EP2888760 Art B1 4. März 2020

Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2888760
Aktenzeichen: EP13831305
Anmeldetag: 29. Juli 2013
Veröffentlichung: 4. März 2020
Erteilung: 4. März 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/423H01L29/66H01L29/788G11C16/04

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Silicon Storage Technology Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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