Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Halbleiterbauelements

EP2889898 Art A1 1. Juli 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2889898
Aktenzeichen: EP13831436
Anmeldetag: 10. Juli 2013
Veröffentlichung: 1. Juli 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/308H01L21/336H01L21/3065// H01L29/12H01L29/78

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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