Architektur für ein Dreidimensionales Speicherarray
EP2891184
Art B1
15. Mai 2019
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2891184
- Aktenzeichen
- EP13832624
- Anmeldetag
- 30. August 2013
- Veröffentlichung
- 15. Mai 2019
- Erteilung
- 15. Mai 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/417H01L29/78H01L27/10H01L27/24H01L45/00// H01L27/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
5.073 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Beresford, Keith Denis Lewis
London, Großbritannien
4.132
Patente gesamt
33
Fachgebiete
38
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Gill Jennings & Every LLP
Gill Jennings & Every LLP · London