Verfahren zur Trennung von mindestens Zwei Substraten Entlang einer Bestimmten Schnittstelle

EP2893554 Art B1 2. Januar 2019

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2893554
Aktenzeichen: EP13782822
Anmeldetag: 4. September 2013
Veröffentlichung: 2. Januar 2019
Erteilung: 2. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/67H01L21/20H01L21/683H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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