Vorrichtung zum Trennen Zweier Substrate

EP2893555 Art B1 31. März 2021

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2893555
Aktenzeichen: EP13783089
Anmeldetag: 3. September 2013
Veröffentlichung: 31. März 2021
Erteilung: 31. März 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/67B26D3/28B26D7/00B26D7/08

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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