Verfahren zur Herstellung einer Struktur zur Anschliessenden Trennung

EP2893559 Art B1 8. Januar 2020

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2893559
Aktenzeichen: EP13782821
Anmeldetag: 3. September 2013
Veröffentlichung: 8. Januar 2020
Erteilung: 8. Januar 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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