Verfahren zur Herstellung eines Übergangsfeldeffekttransistors (jfet)
Anmelder: Institut National des Sciences Appliquées de Lyon, Université Claude Bernard Lyon 1, Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.), Ecole Centrale de Lyon, Consejo Superior De Investigaciones Científicas (CSIC), Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2893566
- Aktenzeichen
- EP12775742
- Anmeldetag
- 5. September 2012
- Veröffentlichung
- 18. Mai 2016
- Erteilung
- 18. Mai 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/337H01L29/808
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Institut National des Sciences Appliquées de Lyon
Université Claude Bernard Lyon 1
Centre National de la Recherche Scientifique (C.N.R.S.)
Ecole Centrale de Lyon
Consejo Superior De Investigaciones Científicas (CSIC)
Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französische öffentliche Universität in Lyon mit Schwerpunkt Naturwissenschaften, Medizin und Technik. Zahlreiche Patente aus der Forschung in Chemie, Biomedizin und Materialwissenschaften.
474 Patente in unserer Datenbank
Französische staatliche Forschungsorganisation mit Sitz in Paris. Betreibt Grundlagen- und angewandte Forschung in nahezu allen wissenschaftlichen Disziplinen über zahlreiche Institute und Labore.
7.382 Patente in unserer Datenbank
Größte staatliche Forschungseinrichtung Spaniens mit Sitz in Madrid, tätig in nahezu allen Wissenschaftsbereichen von Naturwissenschaften bis Geisteswissenschaften. Die Institution (CSIC) betreibt zahlreiche Forschungszentren im ganzen Land.
1.355 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
-
Regimbeau
Regimbeau · Rennes