Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung

EP2894669 Art B1 18. April 2018

Anmelder: Fujitsu Semiconductor Limited 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2894669
Aktenzeichen: EP14200554
Anmeldetag: 30. Dezember 2014
Veröffentlichung: 18. April 2018
Erteilung: 18. April 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/08H01L49/02H01L27/108H01L27/115

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Fujitsu Semiconductor Limited
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fujitsu Semiconductor

Der Anmelder war die Halbleitersparte des japanischen Fujitsu-Konzerns, deren Geschäft später in das Unternehmen Socionext überging. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter- und Elektrobauelemente sowie auf Datenspeicherung, Elektronik, Software und Nachrichtentechnik. Anmeldungen stammen aus dem Zeitraum 2000 bis 2015.

447 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von