Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements aus Siliciumcarbid

EP2897174 Art A1 22. Juli 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2897174
Aktenzeichen: EP13836438
Anmeldetag: 4. Juli 2013
Veröffentlichung: 22. Juli 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/12// H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von