Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Halbleiterbauelements

EP2897176 Art A1 22. Juli 2015

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2897176
Aktenzeichen: EP13836826
Anmeldetag: 30. Juli 2013
Veröffentlichung: 22. Juli 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78H01L21/336H01L29/12// H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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