Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung

EP2899750 Art A3 14. Oktober 2015

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2899750
Aktenzeichen: EP15151971
Anmeldetag: 21. Januar 2015
Veröffentlichung: 14. Oktober 2015
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/66H01L23/522H01L23/00H01L49/02

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

1.103 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von