Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung

EP2899759 Art B1 11. Oktober 2017

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2899759
Aktenzeichen: EP14181230
Anmeldetag: 18. August 2014
Veröffentlichung: 11. Oktober 2017
Erteilung: 11. Oktober 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/337

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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