Speicherzelle mit Geteiltem Gate mit Substrat-Stressorregion und Herstellungsverfahren dafür

EP2901455 Art B1 13. Dezember 2017

Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2901455
Aktenzeichen: EP13842670
Anmeldetag: 31. Juli 2013
Veröffentlichung: 13. Dezember 2017
Erteilung: 13. Dezember 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/11524H01L29/66H01L29/778H01L29/423H01L29/78H01L29/10H01L21/28

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Silicon Storage Technology Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

360 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von