Nanodraht Fet mit Grabenbegrenzte Epitaktisch Gezüchtete Elementschichten
Anmelder: Google LLC, Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2901472
- Aktenzeichen
- EP13840768
- Anmeldetag
- 20. Juni 2013
- Veröffentlichung
- 17. August 2022
- Erteilung
- 17. August 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/775H01L29/06H01L29/16H01L29/20H01L29/786B82Y40/00B82Y10/00H01L21/20H01L21/336H01L27/092H01L21/8258H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Google LLC
Intel Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
US-amerikanisches Unternehmen, das Internetsuche, Onlinewerbung, Softwaredienste sowie Hard- und Software für Mobilgeräte, Cloud und künstliche Intelligenz entwickelt und betreibt.
16.009 Patente in unserer Datenbank
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
26.628 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
-
Betten & Resch
Betten & Resch · München