Driftbeschleunigung bei einem Widerstandsveränderlichen Speicher

EP2907136 Art B1 27. Mai 2020

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2907136
Aktenzeichen
EP13845261
Anmeldetag
3. Oktober 2013
Veröffentlichung
27. Mai 2020
Erteilung
27. Mai 2020
Rechtsraum
EP
IPC
G11C13/00G11C11/56G11C29/50
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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