Herstellungsverfahren für eine Halbleitervorrichtung mit Sinterverbindung eines Halbleiterbauelements mit einer Aluminiumschaltungsschicht mit Gasfreisetzung durch Poren in einer Beschichtung auf der Aluminiumschaltungsschicht, die Poreuse Beschichtung aufweisend eine Silberschicht auf einer Glasschicht
EP2908333
Art A1
19. August 2015
Anmelder: Mitsubishi Materials Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2908333
- Aktenzeichen
- EP13846215
- Anmeldetag
- 7. Oktober 2013
- Veröffentlichung
- 19. August 2015
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L23/488H01L23/373// H01L33/64
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Materials Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Materials
Japanisches Unternehmen der Mitsubishi-Gruppe mit Sitz in Tokio, tätig in der Verarbeitung von Metallen und Werkstoffen, unter anderem Kupfer, Zement, Hartmetallwerkzeuge und elektronische Materialien.
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Hoffmann Eitle
Hoffmann Eitle · München