Verfahren zur Modifizierung eines Anfänglichen Spannungszustands einer Aktiven Schicht in einen Endgültigen Spannungszustand

EP2915184 Art B1 14. September 2016

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2915184
Aktenzeichen: EP13812060
Anmeldetag: 11. Oktober 2013
Veröffentlichung: 14. September 2016
Erteilung: 14. September 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L29/06H01L41/09H01L21/20H01L23/538

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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