Verfahren zur Dickenvariationsmessung in einer Schicht einer Mehrschichtigen Halbleiterstruktur

EP2917688 Art B1 24. August 2016

Anmelder: Soitec, STMicroelectronics (Crolles 2) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2917688
Aktenzeichen: EP13763109
Anmeldetag: 19. September 2013
Veröffentlichung: 24. August 2016
Erteilung: 24. August 2016
Rechtsraum: EP
IPC: G01B11/06G01B11/30

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
STMicroelectronics (Crolles 2) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik

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