Speichervorrichtung, die eine Speicherebene vom SRAM-Typ mit einer Speicherebene vom nicht-flüchtigen Typ kombiniert und gegen zufälliges Umkippen gehärtet ist

EP2922062 Art B1 13. Juli 2016

Anmelder: STMicroelectronics (Rousset) SAS 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2922062
Aktenzeichen: EP15159141
Anmeldetag: 16. März 2015
Veröffentlichung: 13. Juli 2016
Erteilung: 13. Juli 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/11G11C11/412G11C14/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics (Rousset) SAS
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 STMicroelectronics (Rousset)

Französischer Produktionsstandort des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics in Rousset. Der Standort fertigt integrierte Schaltkreise und Halbleiterbauelemente für Automobil-, Industrie- und Konsumelektronik.

321 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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