Integrierte Struktur, die benachbarte MOS-Transistoren umfasst

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP2922063

Aktenzeichen

EP15159143

Anmeldetag

16. März 2015

Veröffentlichung

5. Mai 2021

Erteilung

5. Mai 2021

Rechtsraum

EP

IPC

G11C11/412H01L27/11

Abstract

Structure intégrée comprenant une paire de transistors MOS (TR1, TR2) voisins, chaque transistor (TR1, TR2) comportant une région de grille (RG1, RG2) séparée d'un substrat sous-jacent (1) par un premier diélectrique de grille (OX1), une région supplémentaire (RG3), comportant un matériau de grille, séparée des deux régions de grilles (RG1, RG2) par un deuxième diélectrique de grille (OX12), et possédant un élément continu (RG30) situé au-dessus d'une partie des deux régions de grilles et une branche (RG31) solidaire d'une zone de la face inférieure dudit élément et s'étendant entre les et à distance des deux régions de grilles jusqu'au premier diélectrique de grille.

Anmelder

Firma

STMicroelectronics (Rousset) SAS

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete