Verfahren zur Herstellung einer Struktur

EP2932528 Art B1 24. März 2021

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2932528
Aktenzeichen: EP13805521
Anmeldetag: 2. Dezember 2013
Veröffentlichung: 24. März 2021
Erteilung: 24. März 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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