Verfahren zur Übertragung einer Nützlichen Schicht

EP2933828 Art B1 19. Oktober 2016

Anmelder: Soitec, COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES, COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2933828
Aktenzeichen: EP15162329
Anmeldetag: 2. April 2015
Veröffentlichung: 19. Oktober 2016
Erteilung: 19. Oktober 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/683

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Soitec
COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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