Verfahren zur Reduzierung der Defekte in Grabenisolation

EP2933829 Art B1 14. August 2019

Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2933829
Aktenzeichen
EP15163578
Anmeldetag
14. April 2015
Veröffentlichung
14. August 2019
Erteilung
14. August 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/762H01L21/306H01L21/3065H01L21/764
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
NXP B.V.
Land
🇳🇱 Niederlande
🇳🇱 NXP Semiconductors

Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.

7.918 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Lee, Candice Jane NXP SEMICONDUCTORS · Inhouse Redhill, Großbritannien
321
Patente gesamt
15
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Akustik, Musik & Datenspeicherung
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