Halbleitersubstrat für Photonische und Elektronische Strukturen sowie Verfahren zur Herstellung
EP2939266
Art B1
21. Dezember 2016
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2939266
- Aktenzeichen
- EP13805996
- Anmeldetag
- 25. November 2013
- Veröffentlichung
- 21. Dezember 2016
- Erteilung
- 21. Dezember 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/146G02B6/136G02B6/122G02B6/13H01L21/762H01L21/308G02B6/12
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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