Mesa-Photodioden-Matrix mit Verbesserter Mtf

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP2950347

Aktenzeichen

EP15169098

Anmeldetag

26. Mai 2015

Veröffentlichung

17. Oktober 2018

Erteilung

17. Oktober 2018

Rechtsraum

EP

IPC

H01L27/146H01L31/0296H01L31/103H01L31/18H01L27/144H01L31/0352

Abstract

L'invention concerne une matrice (2) de photodiodes mésa, comprenant une couche utile (20) en Cd x Hg 1-x Te dans laquelle sont formés des plots (22). La matrice (2) présente : - une première zone dopée (24) présentant un premier dopage N ou P ; et - des deuxièmes zones dopées (23) présentant un deuxième dopage P ou N de nature différente de celle du premier dopage, et s'étendant chacune sur une région supérieure d'un plot. Selon l'invention, la première zone dopée (24) comprend : - au moins une première région (24A) présentant une première densité de dopage, située au moins sous chacun desdits plots ; et - au moins une deuxième région (24B), située entre deux plots voisins, et présentant une deuxième densité de dopage supérieure à la première densité de dopage, chaque deuxième région (24B) étant séparée de la deuxième zone dopée (23) la plus proche par au moins une portion de la première région (24A). L'invention concerne également un procédé de réalisation d'une telle matrice (2) de photodiodes.

Anmelder

Firma

Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives

Land

🇫🇷 Frankreich

Fachgebiete