Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines Kristalls aus Halbleitermaterial

EP2952612 Art B1 24. August 2016

Anmelder: Siltronic AG 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2952612
Aktenzeichen
EP15168895
Anmeldetag
22. Mai 2015
Veröffentlichung
24. August 2016
Erteilung
24. August 2016
Rechtsraum
EP
IPC
C30B29/06C30B13/08C30B13/14C30B13/20C30B13/30C30B11/00C30B11/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Siltronic AG
Land
🇩🇪 Deutschland
🇩🇪 Siltronic

Deutscher Halbleiterzulieferer mit Sitz in München. Siltronic stellt hochreine Siliziumwafer für die Chip- und Elektronikindustrie her.

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Vertreten von

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