Trench-Gate-Mos-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung davon

EP2955758 Art B1 7. März 2018

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2955758
Aktenzeichen: EP14833749
Anmeldetag: 24. Juli 2014
Veröffentlichung: 7. März 2018
Erteilung: 7. März 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/423H01L29/739H01L29/06H01L29/40H01L21/331// H01L29/10H01L21/02

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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