Halbleiterbauelement mit einem Griffsubstrat und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einem Griffsubstrat

EP2959501 Art B1 2. April 2025

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2959501
Aktenzeichen
EP14753869
Anmeldetag
24. Februar 2014
Veröffentlichung
2. April 2025
Erteilung
2. April 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20H01L21/683H01L29/66H01L29/778H01L27/06H01L29/06// H01L29/20
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

3.194 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen