Verfahren zur Behandlung einer Struktur

EP2962326 Art B1 30. Januar 2019

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2962326
Aktenzeichen: EP14711828
Anmeldetag: 25. Februar 2014
Veröffentlichung: 30. Januar 2019
Erteilung: 30. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/268H01L21/302H01L21/3065H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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