Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Halbleiterbauelements

EP2966674 Art A1 13. Januar 2016

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2966674
Aktenzeichen: EP14760219
Anmeldetag: 17. Januar 2014
Veröffentlichung: 13. Januar 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L29/06H01L29/12H01L29/78H01L21/04H01L21/033H01L29/66H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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