Siliciumcarbid-Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2966676
Art B1
28. Oktober 2020
Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2966676
- Aktenzeichen
- EP14761228
- Anmeldetag
- 17. Januar 2014
- Veröffentlichung
- 28. Oktober 2020
- Erteilung
- 28. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L21/28H01L21/768H01L29/12H01L29/78H01L21/311H01L29/66H01L29/16H01L21/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Sumitomo Electric Industries, Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Electric Industries
Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.
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