Split-Gate-Flashzellenbetrieb mit Niedrigem Leckstrom und Niedriger Schwellenspannung

EP2973581 Art B1 4. April 2018

Anmelder: Silicon Storage Technology Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2973581
Aktenzeichen: EP14711072
Anmeldetag: 28. Februar 2014
Veröffentlichung: 4. April 2018
Erteilung: 4. April 2018
Rechtsraum: EP
IPC: G11C16/26G11C16/04H01L27/11521H01L21/28H01L29/423H01L29/788// G11C16/10G11C16/14

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Silicon Storage Technology Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Silicon Storage Technology

Silicon Storage Technology ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der auf nichtflüchtige Speichertechnologien spezialisiert ist und zu Microchip Technology gehört. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Datenspeicherung sowie Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt durch Software. Anmeldungen laufen durchgehend seit 2000.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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