Fehlerfreie Einkristall-Dünnschicht
EP2973667
Art A1
20. Januar 2016
Anmelder: King Abdullah University of Science and Technology 🇸🇦
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2973667
- Aktenzeichen
- EP13877834
- Anmeldetag
- 14. März 2013
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306C30B29/40C30B33/10H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- King Abdullah University of Science and Technology
- Land
- 🇸🇦 Saudi-Arabien
🇸🇦
KAUST
Saudi-arabische Forschungsuniversität in Thuwal am Roten Meer, gegründet 2009, mit Schwerpunkten in Ingenieurwissenschaften, Materialforschung und angewandten Naturwissenschaften.
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Kanzlei
Ipsilon
Bourg-la-Reine, Frankreich
Ipsilon wurde 2001 gegründet und ist durch gezielte Zukäufe zu einer führenden französischen IP-Gruppe gewachsen, mit Standorten in Frankreich, den Benelux-Ländern sowie Karlsruhe, München, Luxemburg und New York. Fokus liegt auf Kompetenz statt reiner Größe.
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Patentanwälte
1
Standorte
Weitere Vertreter
-
D Young & Co LLP
D Young & Co LLP · London