Verfahren zur Herstellung von Kühlkanälen in einem Halbleiterwaferstapel

EP2973697 Art B1 3. November 2021

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP2973697
Aktenzeichen
EP13821743
Anmeldetag
11. Dezember 2013
Veröffentlichung
3. November 2021
Erteilung
3. November 2021
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/065H01L21/98H01L23/473H01L23/367H01L21/58// H01L23/48H01L21/48
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Raytheon Company
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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