Verfahren zur Herstellung von Kühlkanälen in einem Halbleiterwaferstapel
EP2973697
Art B1
3. November 2021
Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2973697
- Aktenzeichen
- EP13821743
- Anmeldetag
- 11. Dezember 2013
- Veröffentlichung
- 3. November 2021
- Erteilung
- 3. November 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L25/065H01L21/98H01L23/473H01L23/367H01L21/58// H01L23/48H01L21/48
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Raytheon Company
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Raytheon Company
US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.
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Hill, Justin John
London, Großbritannien
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Dentons UK and Middle East LLP
Dentons UK and Middle East LLP · London