Feldeffekt-Transistor mit Übergitter und Geripptem Gate
EP2973722
Art B1
31. Oktober 2018
Anmelder: Northrop Grumman Systems Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2973722
- Aktenzeichen
- EP14770672
- Anmeldetag
- 14. März 2014
- Veröffentlichung
- 31. Oktober 2018
- Erteilung
- 31. Oktober 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L21/336H01L29/10H01L29/08// H01L29/20
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Northrop Grumman Systems Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Northrop Grumman
US-amerikanischer Rüstungs- und Luftfahrtkonzern mit Sitz in Virginia, tätig in den Bereichen Verteidigungselektronik, Flugzeugbau, Raumfahrt und Cybersicherheit.
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Fachgebiete
Vertreten von
Dunleavy, Kevin James
Amsterdam, Niederlande
534
Patente gesamt
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Fachgebiete
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Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
De Vries & Metman
De Vries & Metman · Amsterdam