Niederspannungslawinenfotodiode mit Gewölbtem Spiegel für Siliciumbasierte Fotonische Integrierte Schaltungen
EP2973729
Art A1
20. Januar 2016
Anmelder: Intel Corporation, Intel IP Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2973729
- Aktenzeichen
- EP13877732
- Anmeldetag
- 11. März 2013
- Veröffentlichung
- 20. Januar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L31/0232H01L31/107
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Intel Corporation
Intel IP Corporation - Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
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Vertreten von
Clarke, Jeffrey David
Sheffield, Großbritannien
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HGF · München