Verfahren zur Herstellung einer Verbundstruktur und Entsprechende Struktur

EP2979296 Art A1 3. Februar 2016

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2979296
Aktenzeichen: EP14718659
Anmeldetag: 21. März 2014
Veröffentlichung: 3. Februar 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/762H01L21/02H01L27/12H01L29/06

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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