Verbundhalbleiter-Einkristalle für Fotoelektrische Umwandlungselemente, Fotoelektrisches Umwandlungselement und Herstellungsverfahren für Verbundhalbleiter-Einkristall für Fotoelektrische Umwandlungselemente
EP2980282
Art B1
24. Februar 2021
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2980282
- Aktenzeichen
- EP14775557
- Anmeldetag
- 11. März 2014
- Veröffentlichung
- 24. Februar 2021
- Erteilung
- 24. Februar 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/48C30B11/00H01L31/073
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
Vertreten von
Jones, Helen M.M
London, Großbritannien
946
Patente gesamt
31
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Gill Jennings & Every LLP
Gill Jennings & Every LLP · London