Verbindungshalbleiterwafer, Fotoelektrisches Umwandlungselement und Verfahren zur Herstellung eines Gruppe-Iii-V-Verbindungshalbleiter-Einkristalls
EP2982783
Art A1
10. Februar 2016
Anmelder: JX Nippon Mining & Metals Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2982783
- Aktenzeichen
- EP14773825
- Anmeldetag
- 11. März 2014
- Veröffentlichung
- 10. Februar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C30B29/42C30B15/22C30B27/02H01L31/0735C30B29/40C30B15/20C30B15/30H01L31/18C30B15/04H01L31/0304
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- JX Nippon Mining & Metals Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
JX Nippon Mining & Metals
JX Nippon Mining & Metals Corporation ist ein japanisches Unternehmen der Nichteisenmetallindustrie, das Kupfer, Halbleitermaterialien und Metallverarbeitung herstellt, Teil der ENEOS-Gruppe.
1.069 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Jones, Helen M.M
London, Großbritannien
946
Patente gesamt
31
Fachgebiete
20
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Gill Jennings & Every LLP
Gill Jennings & Every LLP · London