Halbleiterbauelementherstellungsverfahren mit Verhinderung von Verbindungsmittelhochklettern und Entsprechendes Halbleiterbaulement
EP2985785
Art B1
20. Dezember 2023
Anmelder: Mitsubishi Electric Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2985785
- Aktenzeichen
- EP13881860
- Anmeldetag
- 15. Oktober 2013
- Veröffentlichung
- 20. Dezember 2023
- Erteilung
- 20. Dezember 2023
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/60H01L21/78H01L23/488
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Mitsubishi Electric Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Mitsubishi Electric
Japanisches Unternehmen, das Elektro- und Elektroniktechnik entwickelt und herstellt, darunter Automatisierung, Energie-, Klima- und Fahrzeugtechnik.
37.727 Patente in unserer Datenbank