Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP2985791
Art A1
17. Februar 2016
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2985791
- Aktenzeichen
- EP15180684
- Anmeldetag
- 12. August 2015
- Veröffentlichung
- 17. Februar 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L29/06H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Glawe, Delfs, Moll
Glawe Delfs Moll · Hamburg