Verfahren zur Herstellung eines Implantierten Bereichs für einen Normal Blockierten Heteroübergangstransistor
EP2992558
Art B1
9. September 2020
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2992558
- Aktenzeichen
- EP14718970
- Anmeldetag
- 18. April 2014
- Veröffentlichung
- 9. September 2020
- Erteilung
- 9. September 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/335H01L21/265
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
5.940 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Guérin, Jean-Philippe
Lyon, Frankreich
176
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Fachgebiete
8
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Schwerpunkte