Halbschwebende Gate-Vorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
EP2993695
Art A1
9. März 2016
Anmelder: Fudan University 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP2993695
- Aktenzeichen
- EP14791834
- Anmeldetag
- 29. April 2014
- Veröffentlichung
- 9. März 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/788H01L21/28H01L21/8239H01L29/423H01L27/115H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Fudan University
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Fudan University
Die Fudan University ist eine chinesische Eliteuniversität mit Sitz in Shanghai und breiter Forschung in Medizin und Chemie. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Medizintechnik und Gesundheit sowie organische Chemie, ergänzt durch Pharma und Halbleitertechnik. Anmeldungen erstrecken sich von 2000 bis 2025.
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Brown, Alexander Edward
London, Großbritannien
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