Verfahren zur Erzeugung einer Selektiven Lötdichtungsschnittstelle für ein Ic-Kühlsystem

EP2994936 Art B1 22. März 2017

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2994936
Aktenzeichen: EP14720423
Anmeldetag: 25. März 2014
Veröffentlichung: 22. März 2017
Erteilung: 22. März 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/373H01L23/473H01L21/48H05K1/02B23P15/26

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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